电话+V:159999-78052,欢迎咨询磁控溅射直流电源异常,[小程序设计与开发],[小程序投流与推广],[小程序后台搭建],[小程序整套源码打包],[为个体及小微企业助力],[电商新零售模式],[小程序运营推广及维护]
本文将介绍一种直流磁控溅射电源的技术特性。这款电源的功率范围非常广泛,覆盖10-120KW,适用于AC380V的三相四线制输入电源,工作频率在50-60HZ之间,波动范围控制在±10%之内。其输出方式为直流,空载时的电压为800V,而其灭弧时间极快,不超过20微秒,确保了输出电流的稳定性,具有0.5%的输出电流稳定率。
对于冷却方式,低功率设备(10-60KW)采用风冷,而高功率部分(60-120KW)则需要水冷进行散热。工作环境的温度要求在0-40℃之间,相对湿度应保持在85%以下,以确保电源正常运行。设备需要在清洁无尘、无腐蚀性易燃气体的环境中使用,同时保证空气流通。对于冷却水,需保持清洁,不含有矿物质或其他可溶性物质,水温应控制在20-30℃,压力维持在0.15±0.05Mpa。
真空磁控溅射技术在直流反应溅射过程中,存在靶的污染问题。靶表面形成非导电或导电性差的化合物后,不仅放电电压和沉积速率发生变化,还可能导致膜成分和结构的变化,影响薄膜的性能。
阳极消失问题是另一个关键问题。当阳极上沉积的化合物达到一定厚度,电荷传导路径中断,导致电荷积累,阳极失去作用,辉光放电变得不稳定,沉积的膜层性能不一。定期清理阳极是必要的,以维持稳定性和膜层质量。
极间打火是由于阴阳极覆盖的化合物导致导电性能变差或丧失,电子积累。为了维持辉光放电,需要提高外加电压,但这也可能导致阴极表面化合物的击穿,形成弧光放电,严重影响溅射过程的稳定性,并造成膜层缺陷。改变放电模式,采用交流及脉冲溅射是最有效的解决方法。
中频溅射和脉冲溅射技术的引入为解决上述问题提供了新的途径。在靶上施加交变电压,工作在负电压阶段时,靶被溅射;正电压阶段时,中和靶面积累的正电荷,这就是交流溅射技术。电压波形为非对称矩形波的溅射称为脉冲溅射;对称的方波或正弦波称为交流溅射。在给定电场强度下,频率越高,溅射产额越低。实验发现,在60kHz、80kHz、500kHz和13.5MHz时的溅射产额分别为直流溅射时的100%、85%、70%和55%,通常选择10-80kHz的频率。因此,交流溅射也被称为中频溅射。
磁控溅射按照电源的不同,可以分为直流磁控溅射(DC)和射频磁控溅射(RF)。
顾名思义,直流磁控溅射运用的是直流电源,射频磁控溅射运用的是交流电源(射频属于交流范畴,频率是13.56MHz。我们平常的生活中用电频率为50Hz)。
两种方式的用途不太一样,直流磁控溅射一般用于导电型(如金属)靶材的溅射,射频一般用于非导电型(如陶瓷化合物)靶材的溅射。
两种方式的不同应用
直流磁控溅射只能用于导电的靶材(靶材表面在空气中或者溅射过程中不会形成绝缘层的靶材),并不局限于金属。譬如,对于铝靶,它的表面易形成不导电的氧化膜层,造成靶表面电荷积累(靶中毒),严重时直流溅射无法进行。这时候,就需要射频电源,简单的说,用射频电源的时候,有一小部分时间是在冲抵靶上积累的电荷,不会发生靶中毒。
射频磁控溅射一般都是针对绝缘体的靶材或者导电性相对较差的靶材,利用同一周期内电子比正离子速度快进而沉积到靶材上的电子数目比正离子数目多从而建立起自偏压对离子进行加速实现靶的溅射。
两种方式的特点:
1、直流溅射:对于导电性不是很好的金属靶,很难建立较高的自偏压,正离子无法获得足够的能量去轰击靶材
电话+V: 159999-78052
专注于小程序推广配套流程服务方案。为企业及个人客户提供了高性价比的运营方案,解决小微企业和个体拓展客户的问题