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vgd的意思是：栅级驱动器。
栅极驱动器是一个用于放大来自微控制器或其他来源的低电压或低电流的缓冲电路。在某些情况下，例如驱动用于数字信号传输的逻辑电平晶体管时，使用微控制器输出不会损害应用的效率、尺寸或热性能。
在高功率应用中，微控制器输出通常不适合用于驱动功率较大的晶体管。栅极驱动器工作输出电压使开关管导迢并运行于开关状态下。这种通过高压稳压器自给供电的方法就是第节所介绍的动态自给电源的方法。
管的源极接电流检测电阻，其电压加于脚，当该电压超过峰值电流检测阐值时，栅极驱动信号终止，管截止。由于阐值电压在内部设置为，所以，咖管的峰值电流是由检测电阻决定的。电阻愈大，允许管的漏极电流峰值愈小。
在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。这就要求栅极驱动的栅极电流足够大，能够瞬时充满MOSFET栅极电容。因此，栅极驱动就是起到驱动开关电源导通与关闭的作用。
栅级驱动器作用：
绝缘栅极双极晶体管（IGBT）是半导体电子元件，可用于高功率设备的快速电子开关。由于IGBT可以控制高达数百千瓦的电荷，因此IGBT适用于操作电源、牵引电机或感应加热器。
此外，由于其快速打开和关闭的能力，IGBT也可以用于工业应用中的控制系统。然而，这些开关可能会根据输入电流或温度的变化而出现开关损失。创建一个具有自动定时的设备将有助于提高这些系统的可靠性。
通过热电偶温度传感器检测温度，然后反馈信号给变频器，变频器根据信号调整电流大小，从而调整加热线圈（也有可能是电磁感应线圈）的功率。这就是变频加热了。
变频器的工作原理被广泛应用于各个领域。例如计算机电源的供电，在该项应用中，变频器用于抑制反向电压、频率的波动及电源的瞬间断电。
变频器主要采用交-直-交方式(VVVF变频或矢量控制变频)，先把工频交流电源通过整流器转换成直流电源，然后再将直流电源转换成频率、电压均可控制的交流电源以供给电动机。
变频器也可用于家电产品。使用变频器的家电产品中，不仅有电机(例如空调等)，还有荧光灯等产品。
扩展资料
变频器的结构与原理
1、PWM控制，又称电压、频率比例调制方式。在调节频率的同时，不改变脉冲电压幅度的大小，而是改变脉冲的占空比，可以实现变频也变压的效果。
这种方法称为PWM（PuleWidthModulation）调制，PWM调制可以直接在逆变器中完成电压与频率的同时变化，控制电路比较简单。
2、逆变器。这一部分指的是完成直流到交流的逆变过程，用于驱动变频压缩机运转的三相逆变器。如图所示，变频空调通常采用6个绝缘栅极晶体管构成大功率晶体管开关组合，又称功率模块。
6个晶体管的状态决定了电机绕组中电流的方向，而开关动作的快慢决定了通入电机绕组中电流的频率；开关脉冲依次控制它们通断，切换一次后，电机就转动一周；如果每秒钟切换100次，则电机的转速就是100r/s。在实际应用中，多采用变频模块加上外围的电路（如开关电源电路）组成。
参考资料来源：百度百科-变频
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
现在质量好点的电磁感应加热设备里都会有IGBT，且是进口元件。
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