专业网络营销推广——跟随大平台节奏

电话+V：1599997-8052 ，欢迎咨询半导体清洗烘干设备原理，[专业新媒体运营推广]，[各种商圈业内交流]，[抖音运营推广课程]，[微信运营推广课程]，[小红书运营推广课程]，[让你站在风口忘记焦虑]

一、干衣机原理及使用方法介绍

　　导语：干衣机是个不错的设备，在一个几乎密封的空间，利用热交换原理，令衣物风干。下面我们就来一起看看干衣机原理介绍，干衣机使用方法介绍。

　　干衣机原理介绍

　　干衣机在工作过程中主要是利用高温气流流经衣物表面实现对衣物的加热，将衣物上的水分蒸发，使衣物快速的干燥。干衣机在加热过程中常用的加热方式有电热丝加热、半导体加热等。使用半导体加热方式的干衣机在加热过程中会自动减小一定的功率，在节能的同时还能够控制加热器的最高温度来保护衣物。干衣机最大的特点就是它不受天气的影响，能够自由的实现衣物的晾干。

　　干衣机使用方法介绍

　　1、在使用干衣机烘干衣物的'时候要注意，在使用干衣机之前需要把衣物中的水分脱干才行。这样才能更好的保证干衣机的干衣效果。

　　2、之后把衣物整理好挂在干衣机上的挂架上，衣物和衣物之间最好是留下一定的空隙，方便空气的流通，加快衣物水分的蒸发。

　　3、之后将干衣机的主机电源插上，启动干衣机发热器，干衣机就能自动进行干衣了。用户只要等衣物烘干之后把衣物取出就行了。

　　以上有关干衣机原理介绍，干衣机使用方法介绍的内容就介绍到这里了，还有什么不清楚的吗?希望对大家有所帮助哦。

二、干衣机的原理

【干衣机】是利用电加热来使洗好的衣物中的水分即时蒸发干燥的清洁类家用电器。对于北方的冬季和南方的“回南天”衣物难干的情况特别需要。另外，干衣机大量用于工业生产中，用于干燥织物，提高生产效率。现在说的干衣机一般指的是家用型简易干衣机，主要由支架、主机和外罩组成，其特点是价格适中，简单易用，故障率低，适合普通家庭或学生、流动群体使用。

半导体清洗：湿法清洗和干法清洗

清洗几乎贯穿半导体制程的每一个环节，也是影响半导体器件良率的要素之一。一旦半导体芯片被颗粒和金属污染，容易导致短路或开路等失效，因此在制造过程中（如高温扩散和离子注入等）需要湿法或干法清洗。在保持晶圆表面平整度、洁净度和良好的电性能的基础上，有效地去除晶圆上的颗粒、金属及有机物等杂质。扩维原子对以上两类方法进行解读，助力企业选择合适的清洗方法。

清洗方法分类

清洗技术路线主要有两种，一是湿法清洗，二是干法清洗。

一

湿法清洗

湿法清洗使用液体化学品和去离子水通过氧化、蚀刻和溶解晶圆表面污染物、有机碎屑和金属离子污染。常用的湿法清洗有：RCA清洗、稀释化学品清洗、IMEC清洗和单晶圆清洗等方法。

1.RCA清洗

该工艺用于去除溶剂清洗工艺后存在于晶圆表面的有机材料、重离子等。过程中使用溶剂、酸、表面活性剂和水来喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染，通常会使用APM（NH?OH/H?O?/H?O，亦称为SC1清洗液）、Hydrochloricacid/hydrogenperoxide/DIwatermixture(HPM;HCI/H?O?/H?Oat65~80℃，通常也称为SC2清洗液)、Sulphuricacid（硫酸）/hydrogenperoxide（过氧化氢）/DIwater（去离子水）混合物、Hydrofluoricacid（氢氟酸）或者dilutedhydrofluoricacid（稀释氢氟酸）(HF或DHFat20~25℃)。

每次使用化学品后，都需要用超纯水（Ultrapurewater，UPW）彻底冲洗。RCA清洗在兆声能量加持下，可减少化学品及DI水的用量，缩减晶圆在清洗液中的浸蚀时间，削弱湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，同时可延长清洗液使用寿命。

2化学品清洗

在RCA清洗的基础上，对SC1、SC2采用稀释混合使用，可以节省化学品和去离子水用量。稀释APM（1:1:50）可以去除晶圆表面的颗粒和碳氢化合物。在去除金属污染物时，稀释HPM（1:1:60）和稀释HCl（1:100）可以媲美传统HPM。采用合适的HCl浓度可有效抑制溶液中的颗粒沉积在晶圆表面。

3IMEC清洗

比利时微电子中心提出了一种简化的臭氧化和稀释化学品清洗方法，以节省化学品和去离子水使用。第一步通过硫酸或臭氧化去离子水等消除有机污染物，并形成一层薄薄的化学氧化物，以确保有效去除颗粒。第二步使用HF和HCl混合稀释液去除氧化层和颗粒，同时抑制Cu和Ag等金属离子的沉积。第三步是在硅表面产生亲水性，以确保干燥时不产生干燥斑点或残留水印。

4单晶圆清洗

由于设备工艺技术关键尺寸的缩小和新材料的引入，大直径晶圆前道工序的表面处理愈发重要。上述传统的清洗方法极难在确保高效清洁的同时，最大限度地减少表面和微结构的损伤。因此，业界倾向采用单晶圆清洗，以降低交叉污染的风险，从而提高产品良率并降低成本。

主要步骤是在室温下重复使用DI-O3/DHF清洗液，去离子水（DI-O3）产生氧化硅，同时DHF刻蚀氧化硅，消除颗粒物和金属污染物，快速喷涂即可以达到令人满意的清洗效果，而不会出现交叉污染。最后的冲洗可使用DI水或臭氧化DI水。使用异丙醇与大量氮气混合进行干燥处理可以避免水渍。单晶片清洗可降低化学品的消耗量，同时可提高晶圆的成本效益。

二.干法清洗

1.气相清洗

气相清洗是使用化学气相法从晶圆表面去除杂质。热氧化和等离子清洗是最常见的两种化学气相法。清洗过程包括将热化学气体或等离子反应气体引入反应室，反应气体与晶圆表面化学结合，产生的挥发性反应产物可通过真空泵抽走。Cl基化学法退火，一种典型的热氧化过程，该过程是在氧化炉中，密闭环境中退火，而在溅射沉积之前，通常原位进行氩溅射。

2.等离子清洗

等离子清洗包括使用激光、微波、热电离和其它方法将无机气体激发为等离子态活性粒子，活性粒子和表面分子生成产物分子，产物分子进一步形成气相物质从表面脱离。

3.束流清洗技术

束流清洗是指在电场力的作用下，雾化的导电化学清洗剂通过毛细管形成细小的束流状，高速冲击在硅片表面上，使得杂质与原子之间的范德瓦尔斯键断裂，杂质脱离表面，实现清洁。此外，还有激光束流清洗技术，它能够有效去除微米级和亚微米级的杂质颗粒，而且不对硅片表面造成损坏，是一种潜力极大的新型清洗技术。

湿法清洗VS干法清洗

干洗的优点是在清洗后不会留下废液，并允许选择性地进行局部处理。异向性的干法刻蚀也使其更容易创建精细的线条和几何图形。然而，化学气相法很难有选择性地只和表面金属污染物进行反应，导致不可避免的与硅表面反应；而不同的挥发性金属成分具有不同的蒸发压，不同的金属具有不同的低温挥发性。因此，在特定的温度和时间条件下，不能完全消除所有的金属污染物，因此干法清洗不能完全取代湿法清洗。

半导体的清洗几乎贯穿整个半导体的流程，清洗工艺的次数甚至可占到整个芯片制造工艺步骤的1/3。合理的选择清洗工艺对芯片的性能尤为关键。因此，业界和学界也在不断研发新的清洗技术，去满足日渐缩小的制程要求。

扩维原子原子级技术服务/SERVICE

我司提供原子级技术服务，包括无损伤清洗、选择性刻蚀、原子级平坦化、超浅层离子注入等先进技术服务，以束流微加工技术突破微制造技术限制。如您有技术服务需求，欢迎随时与我们联系。

参考资料

(1}
MichaelQuirkJulianSerda.SemiconductorManufac-turingTechnology[M].北京:电子工业出版社

{2}KernW，HandbookofSemiconductorWaferClearningTechnolongy:Sci-ence，T

echnologyandApplications1993

{3}0himt，J.Electrochem.Soc.，1996，143(9)，2957{4}闫志瑞:半导体硅片清洗工艺发展方向电子工业专用设备，2004

[1]施敏，梅凯瑞陈军宁，柯导明，等.半导体制造工艺基础[M].安徽大学出版社，2007.

深圳扩维原子科技有限公司

深圳扩维原子科技有限公司由北京中关村科学城建设股份有限公司与英国伯明翰大学等国际知名研发团队共同创立，致力于推动中国纳米材料的研发与产业化。作为一家高科技企业，公司专注于新材料与半导体设备的研发、生产与销售，主要业务涵盖原子级纳米材料、质量选择团簇束流设备以及原子级先进技术服务，为科研、化工、能源、半导体和生物医药等行业提供创新解决方案。

【WINDRISES NETWORK MARKETING】尊享直接对接老板

电话+V： 1599997-8052

专注于网络营销推广配套流程服务方案。为企业及个人客户提供高性价比的运营方案，解决小微企业和个人创业难题