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一、方阻详细资料大全

在一长为l，宽w，高d（即为膜厚），此时L=l，S=w*d，故R=ρ*l/(w*d)=(ρ/d)*(l/w).令l=w于是R=(ρ/d)，其中ρ为材料的电阻率，此时的R为方阻。

基本介绍

中文名：方阻

定义：方块电阻R=ρ/d

电阻定义式：R=ρ*L/S

定义：在一长为l，宽w，高d

单位：Ω

定义，测试方法，影响精度因素，套用存在的问题，

定义

定义：在一长为l，宽w，高d（即为膜厚），此时L=l，S=w*d，故R=ρ*l/(w*d)=(ρ/d)*(l/w).令l=w于是R=(ρ/d)，这就是方阻。　方阻测试仪蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铜箔膜等薄膜状导电材料，衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方阻。什么是方阻呢？方阻就是方块电阻，指一个正方形的薄膜导电材料边到边“之”间的电阻，如图一所示，即B边到C边的电阻值。方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关。

测试方法

方块电阻如何测试呢，可不可以用万用表电阻档直接测试图一所示的材料呢？不可以的，因万用表的表笔只能测试点到点之间的电阻，而这个点到点之间的电阻不表示任何意义。如要测试方阻，首先我们需要在A边和B边各压上一个电阻比导电膜电阻小得多的圆铜棒，而且这个圆铜棒光洁度要高，以便和导电膜接触良好。这样我们就可以通过用万用表测试两铜棒之间的电阻来测出导电薄膜材料的方阻。如果方阻值比较小，如在几个欧姆以下，因为存在接触电阻以及万用表本身性能等因素，用万用表测试就会存在读数不稳和测不准的情况。这时就需要用专门的用四端测试的低电阻测试仪器，如毫欧计、微欧仪等。测试方法如下：用四根光洁的圆铜棒压在导电薄膜上，如图二所示。四根铜棒用A、B、C、D表示，它们上面焊有导线接到毫欧计上，我们使BC之间的距离L等于导电薄膜的宽度W，至于AB、CD之间的距离没有要求，一般在10--20mm就可以了，接通毫欧计以后，毫欧计显示的阻值就是材料的方阻值。这种测试方法的优点是：（1）用这种方法毫欧计可以测试到几百毫欧，几十毫欧，甚至更小的方阻值，（2）由于采用四端测试，铜棒和导电膜之间的接触电阻，铜棒到仪器的引线电阻，即使比被测电阻大也不会影响测试精度。（3）测试精度高。由于毫欧计等仪器的精度很高，方阻的测试精度主要由膜宽W和导电棒BC之间的距离L的机械精度决定，由于尺寸比较大，这个机械精度可以做得比较高。在实际操作时，为了提高测试精度和为了测试长条状材料，W和L不一定相等，可以使L比W大很多，此时方阻Rs=Rx*W/L，Rx为毫欧计读数。此方法虽然精度比较高，但比较麻烦，尤其在导电薄膜材料比较大，形状不整齐时，很难测试，这时就需要用专用的四探针探头来测试材料的方阻，如图三所示。探头由四根探针阻成，要求四根探针头部的距离相等。四根探针由四根引联接到方阻测试仪上，当探头压在导电薄膜材料上面时，方阻计就能立即显示出材料的方阻值，具体原理是外端的两根探针产生电流场，内端上两根探针测试电流场在这两个探点上形成的电势。因为方阻越大，产生的电势也越大，因此就可以测出材料的方阻值。需要提出的是虽然都是四端测试，但原理上与图二所示用铜棒测方阻的方法不同。因电流场中仅少部分电流在BC点上产生电压（电势）。所示灵敏度要低得多，比值为1：4.53。

影响精度因素

影响探头法测试方阻精度的因素：（1）要求探头边缘到材料边缘的距离大大于探针间距，一般要求10倍以上。（2）要求探针头之间的距离相等，否则就要产生等比例测试误差。（3）理论上讲探针头与导电薄膜接触的点越小越好。但实际套用时，因针状电极容易破坏被测试的导电薄膜材料，所以一般采用圆形探针头。

套用存在的问题

最后谈谈实际套用中存在的问题1、如果被测导电薄膜材料表面上不干净，存在油污或材料暴露在空气中时间过长，形成氧化层，会影响测试稳定性和测试精度。在测试中需要引起注意。2、如探头的探针存在油污等也会引起测试不稳，此时可以把探头在干净的白纸上滑动几下擦一擦可以了。3、如果材料是蒸发铝膜等，蒸发的厚度又太薄的话，形成的铝膜不能均匀的连成一片，而是形成点状分布，此时方块电阻值会大大增加，与通过称重法计算的厚度和方阻值不一样，因此，此时就要考虑到加入修正系数。

二、方块电阻方块电阻的测定

方块电阻如何测试？直接使用万用表电阻档测试图一所示的材料是否可行？答案是否定的。万用表只能测量两点间的电阻，该电阻值无法代表方块电阻的真实值。

为了准确测量方块电阻，首先需要在A边和B边各放置一个电阻远小于导电膜电阻的圆铜棒。确保这些圆铜棒的表面光洁，以实现与导电膜的良好接触。通过测量两个铜棒之间的电阻，即可得到导电薄膜材料的方块电阻值。

当方块电阻值较小（如几个欧姆以下），则需要使用专门的低电阻测试仪器，如毫欧计或微欧仪。测试方法是使用四根光洁的圆铜棒压在导电薄膜上，其中两根（BC）的间距设置为导电薄膜的宽度，其他两根（AB、CD）的距离一般在10-20毫米即可。接通仪器后，显示的阻值即为材料的方块电阻值。这种方法的优点是：（1）能够测量几百毫欧、几十毫欧乃至更小的方块电阻值；（2）采用四端测试，可以避免铜棒与仪器连线的电阻对测量结果的影响；（3）测试精度较高，主要取决于膜宽和铜棒间距的机械精度，而这些尺寸通常较大，因此机械精度容易达到较高水平。

虽然这种方法的精度较高，但在测试较大、形状不规则的导电薄膜材料时会较为繁琐。此时，可以使用专用的四探针探头进行测试。探头由四根探针组成，要求探针头之间的距离相等。当探头压在导电薄膜上时，方阻计能立即显示材料的方块电阻值。这种方法与使用铜棒测试的原理不同，但同样采用四端测试。然而，由于电流场仅在特定区域产生电压（电势），因此灵敏度较低，约为1：4.53。

影响探头法测试方块电阻精度的因素包括：（1）探头边缘到材料边缘的距离应大于探针间距的10倍以上；（2）要求探针头之间的距离相等，否则会产生等比例测试误差；（3）理论上探针头与导电薄膜接触点越小越好，但实际应用中需采用圆形探针头，以避免破坏被测材料。

如何测薄膜的方块电阻？

2024-02-2214:13·Tom聊芯片智造半导体制造中的薄膜都具有电阻，薄膜电阻对器件的性能有着直接的影响。我们通常不去测量薄膜的绝对电阻，而是用方块电阻来表征。

什么是方块电阻与体电阻率？

体电阻率，也称为体积电阻率，是一个材料固有的性质，表征了该材料对电流流动的阻碍程度。常用符号ρ表示，单位为Ω。在初中物理中已接触过。

方块电阻，又名方阻，英文名称sheetresistance，指的是单位面积的薄膜的电阻值。常用符号Rs或ρs来表示，单位为Ω/sq或Ω/□

二者的关系是：方阻=体电阻率/薄膜厚度，即Rs=ρ/t

为什么要测方块电阻？

测量薄膜的绝对电阻需要精确知道薄膜的几何尺寸（长度、宽度、厚度），变量很多，对于非常薄或不规则形状的薄膜，十分复杂。而方阻仅与薄膜的厚度有关，可以快速地被直接测试出来，无需复杂的尺寸计算。

哪些薄膜需要测方块电阻？

一般导电薄膜，半导体薄膜需要测方阻，而绝缘薄膜则不需要测。

在半导体掺杂中，也会测硅的方阻。

KLA方阻测量仪

测量方块电阻的方法？

业内一般采用四探针法。四探针法可测量方阻电阻范围从1E-3到1E+9Ω/sq之间的方阻。四探针法可以避免由于探头和样品之间的接触电阻而产生的测量误差。

测量方法：

1)将四个线性排列的探头设置在试样表面。

2)在两个外探针之间施加恒定电流。

3)通过测量两个内部探针之间的电位差来确定电阻

RS:方块电阻

ΔV：内部探针之间测得的电压变化

I:外探针之间施加的电流

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